作者：郭永忠; 吴飞鸟; 王睿韬; 李玉玲快恢复
摘要：论述了ZK1150-45型1150A，4500V，反向恢复时间小于6μs的快恢复二极管的设计与制造。针对该快恢复二极管对电流、电压及反向恢复时间均要求较高，采用了PIN型设计。对双角度造型终端PIN型快恢复二极管的工作模式进行了深入细致的研究。指出要有效协调减小漏电流、提高阻断电压与降低通态压降提高通流能力、减小反向恢复电荷缩短反向恢复时间之间的矛盾，N-区宽度必须取极小值。借助于“激光探针光敏电流测量法”，可完全计入结终端硅-钝化层介面各种复杂因素影响。测量出表面空间电荷区展宽，观察其中电场集中情况，准确提供设计依据。采用特殊扩散掺杂工艺．不仅可一次性完成P，N型掺杂、而且具有优良的杂质分布及其均匀性。封装前对管芯施加12MeV，100μA束流反复多次的电子辐照．使少子寿命均匀受控。形成了高效率、高成品率、稳定的工艺制造技术。
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