作者：曹祥威; 赵明才; 张林; 汪炜; 陈秭昕纳米硅颗粒火花放电高能球磨晶体结构
摘要：采用火花放电法制备出粒径均匀分布在30~50 nm的纳米硅颗粒,产量为1 g/h。针对其低产率,在火花放电的基础上组合高能球磨法,成功制备出中径（D50）为80 nm的纳米硅颗粒,产量可达100 g/h。利用SEM、EDS、XRD、TEM等手段分别对产物的微观结构进行表征,结果表明：火花放电法所制备的纳米硅颗粒呈球形,且形貌趋于一致,但颗粒内部出现层错等晶体缺陷及非晶区域;而火花放电和高能球磨组合法制备的纳米硅颗粒呈层片状,其形貌差异较大,但颗粒内部几乎未出现非晶区域,层错缺陷更少,晶体结构更好。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
