作者：叶伟; 崔立堃; 常红梅sio2薄膜氧化锌薄膜晶体管修饰层射频磁控溅射
摘要：具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO 2 修饰的Bi 1.5 Zn 1.0 Nb 1.5 O 7 作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO 2 修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO 2 修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5 A/cm^2 降低到7.7×10^-7 A/cm^2 ,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10^13 cm^-2 降低到9×10 12 cm^-2 ,迁移率从0.001cm^2 /(V·s)升高到0.159cm^2 /(V·s).
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