作者：陈文浚太阳电池化合物半导体光伏技术短路电流密度gainp晶格匹配级连多结
摘要：前面已提到，与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga（In）As／Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光，都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及AM0／AM1．5G阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光谱分布曲线㈦。由于在Ga（In）As的吸收限（约880nm）以外，太阳光谱中仍有相当丰富的红外光可以被Ge底电池所利用，使其短路电流密度远远高于电流匹配的GaInP2/GaInAs两级顶电池。为了更有效地把太阳光能转变为电能，可以通过改变In／Ga组分比，调低GaInP2/GaInAs两级顶电池的带隙宽度。当GalnAs中间电池带隙宽度为1．23eV左右，而GaInP顶电池与其晶格匹配且Ⅲ族亚晶格完全无序时，GaInP2/Ga（In）As／Ge二三结电池的AM0理论效率最高。但此时，GaInP2／GalnAs两级顶电池已与Ge衬底严重晶格失配，失配率接近1％。于是，GaInP2／Ga（In）As／Ge三结电池的研究者们，在沿着材料选择品格匹配优先的途径走了很远以后又发现，或许应该再回过头来考虑另一条途径的优点，即通过努力实现品格失配材料的外延生长来获得材料带隙宽度选择的更大自由度。
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