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极低功耗的新型1.2kV 1GBT模块

低功耗飞兆半导体公司igbt模块功率损耗模块封装ul认证额定电流关断损耗导通损耗同时优化类元件穿通型

摘要:美国飞兆半导体公司(FFairchild Semiconductor)推出两种新型1.2kV的IGBT模块——FMG2G5C)US120和FMG2G75US120。它们罘用2-PAK模块封装,已通过了UL认证。两种新型模块的额定电流分别为50A和75A,同时优化了导通损耗[UCE(sat)]与关断损耗(Enff),使总体功率损耗非常低。与使用非穿通型(NPT)技术的同类元件相比,FHG2G75US120可减少功率损耗达20%。

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电世界

《电世界》(CN:31-1327/TM)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《电世界》交流国内外电机,电力工业的科研成果和生产技术经验,主要内容包括电机,电器,电站,输配电,电气自动化,电工仪表,电工材料,交通电气化以及电学基础等专业范围。

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