我国科学家创新研发第三类存储技术

存储技术非易失性存储器科学家研发创新非易失存储半导体复旦大学

摘要：复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题，研究成果近日发表于《自然·纳米技术》。专家表示，基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，将在极低功耗高速存储、数据有效期自由度利用等多领域发挥重要作用。

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