作者：孙岚; 林昌健硫化镉半导体纳米线阵列直流电沉积法多孔氧化铝模板制备紫外可见吸收光谱特性荧光光谱特性
摘要：应用直流电沉积法在多孔氧化铝模板中制备了高度有序的CdS纳米线阵列，并由XRD、Raman、SEM、TEM和HRTEM等进行物理化学表征，结果表明，沉积在多孔氧化铝模板中的CdS呈六角结构，c轴沿孔长度方向定向生长，紫外吸收光谱研究表明，随着纳米线尺寸的减小，纳米线阵列的吸收边向短波长方向移动，荧光光谱测量显示，CdS纳米线阵列的荧光强度高于氧化铝模板，而且在可见光区的荧光特性与激发波长无关。
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