作者：李艳 张雅静 黄波 郑琼林 郭希铮宽禁带半导体器件ganhemt共源共栅结构输出伏安特性
摘要：近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管（Ga N HEMT）已经开始应用在电力电子领域。高压共源共栅（Cascode）Ga N HEMT的出现使得Ga N器件可以在高压场合进行应用。本文首先研究了耗尽型Ga N HEMT及Cascode Ga N HEMT全范围输出伏安特性及其特点。结合Si MOSFET和耗尽型Ga N HEMT的特性,本文重点研究了Cascode Ga N HEMT的工作模态及其条件。最后,给出了500W基于600V Cascode Ga N HEMT单相全桥逆变器的实验验证。实验结果和仿真验证证明了理论分析的正确性。
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