作者：李燕 郑冀 王鑫ga掺杂zno导电粉正交实验均相沉淀
摘要：摘要：通过正交实验设计，对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化，确定出其最优参数为：掺杂比2m01％，反应温度85℃，反应时间10h，煅烧温度550℃。利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测，结果表明，按此条件制备的掺杂样品，经测量其电阻率为3．3×10^4Ω·cm。
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