作者：蒋兴莉; 胡强; 王思亮; 张中伟; 马克强; ...功率器件终端技术钝化工艺
摘要：针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究。设计了一款1 200 V IGBT用FLR＋FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 A IGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响。改良后的终端结构击穿电压可达1 460 V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
