作者：王子艳; 周建伟; 王辰伟; 张佳洁; 张雪; ...铜钌二氧化硅化学机械抛光硫酸铵2
摘要：针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO2 H2O2体系抛光液中研究了(NH4)2SO4和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率的影响,并使用钌阻挡层图形片对抛光液的平坦化性能进行验证。结果表明,(NH4)2SO4的添加可以提高Cu、Ru和TEOS的去除速率,进一步加入TT后,Cu的去除速率减小,Ru和TEOS的去除速率基本不变。采用由5%(质量分数,下同)SiO2、0.15%H2O2、40 mmol/L(NH4)2SO4和1 g/L TT组成的抛光液对钌阻挡层图形片化学机械抛光30 s后,碟形坑和蚀坑的深度得到了有效降低。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
