作者：李玥; 宋育泽; 李红英; 邵浦华; 高风仙二氧化钛纳米管阵列三硫化二铟石墨烯脉冲电沉积修饰光催化2降解
摘要：采用脉冲电沉积法将In2S3纳米粒子沉积在TiO2纳米管阵列(NTs)上,得到In2S3–TiO2NTs。然后通过脉冲电沉积法将石墨烯薄膜修饰在In2S3–TiO2NTs上,制备出RGO/In2S3–TiO2NTs复合材料。通过光电流测试和2,4.二氯苯氧乙酸(2,4-D)降解试验表征了RGO/In2S3–TiO2NTs的光电性能和光催化性能。结果表明:相对于纯TiO2NTs,RGO/In2S3–TiO2NTs复合材料的光生电子.空穴对的复合率更低,对可见光的吸收更强。光催化180min后,RGO/In2S3–TiO2NTs复合材料对2,4-D的降解效率高达93.36%,重复使用5次后仍有90.70%。
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