作者：李红耘; 熊西周srtio3压敏电阻掺杂介质损耗环形电容量sno2非线性系数压敏电压
摘要：笔者介绍了SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响.电性能测试结果表明,掺杂SnO2的摩尔分数X(SnO2)在0.5%～1.0%的范围内,随掺杂SnO2摩尔分数的增加,试样的压敏电压从8.0V下降到4.0V,电容量从68nF增大到112nF,非线性系数α和介质损耗tanδ基本保持不变.试样的焊接变化率和高低温及温度循环试验特性均满足技术要求,但温度系数偏大.
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