作者：杨洁; 王彪; 王平平非正常导通阳极电压变化率失效模式
摘要：针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ESD)作为典型电磁脉冲源,对比分析了小电流SCR的ESD敏感度特性,确定了ESD作用下SCR的失效模式为门极电压作用失效、阴阳极断路.采用理论和试验相结合的方法得出了SCR意外导通的开启时间仅与阳极电压和器件本身特性有关的结论,并进一步通过方波电磁脉冲注入的对比试验,揭示了ESD作用下SCR因dV/dt触发导通的开启时间只与ESD注入电压有关:注入电压越高,开启时间越短.
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