作者：李青龙栅介质超深亚微米击穿n沟道mosfet栅氧化层厚度载流子迁移率薄栅氧化层电流密度隧穿电流栅极电压永久性等参数漏电压偏压si
摘要：通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩产生密度以及隧穿电流的变化,得出当源、漏偏压分别为0.5V和1.0V时,增大栅极电压到18V时,栅氧化层(3nm)被永久性击穿;而在栅、源、漏偏压分别为5V、0.5V、1.0V不变时,减薄栅氧化层到0.335nm时,栅氧化层被永久性击穿.
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