研发存储器存储设备外加电压电阻性存取速度发生变化记忆体
摘要：英国近日研发出一种基于“电阻性记忆体”的新型仔储设备。与现在广泛使用的闪存相比，这种新型存储设备的能耗只有闪存的约千分之一，而其存取速度是闪存的一百倍以上。据悉，电阻性记忆体的基础是忆阻材料，而这种材料的特殊性在干，在外加电压时其电阻会发生变化，随后即使取消外加电压，它也能“记住”这个电阻值。
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