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非磁性半金属YBi中极大磁电阻及拓扑电子结构构建

作者:唐昉; 吴子鸣; 林如龙; 房勇; 韩志达; 钱...磁电阻第一性原理计算

摘要:通过自助溶剂法制备YBi单晶,并研究其磁输运行为及电子结构.零磁场下, YBi具有金属导电特性.磁场作用下,低温电阻将会极大增强,呈现类似拓扑绝缘体的电阻平台.科勒关系表明YBi中具有多种载流子.第一性原理计算表明,该材料具有一个电子带和两个空穴带,且电子和空穴的数目大致相当.此外,我们还发现YBi具有非平庸的电子能带结构.实验表征及理论计算表明,YBi的极大磁电阻来源于电子-空穴补偿效应及拓扑能带结构.

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常熟理工学院学报

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