作者：梁仁荣; 王敬; 徐阳; 许军; 李志坚无机非金属材料半导体材料应变硅减压化学气楣沉积锗硅虚拟衬底多层复合结构
摘要：应用减压化学气相沉积技术，在弛豫Si0．7Ge0．3层／组分渐变Si1-xGex层／Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料，其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数X从0线性增加到0．2．对该复合结构的性能进行了表征，由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4．12nm和1．2％，材料中的位错密度为4×10^4cm^-2．经受了高热开销过程后，应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变．
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