硅单晶Czochralski法生长全局数值模拟II．质量传递特性

作者：李友荣; 阮登芳; 彭岚; 吴双应材料科学基础学科全局分析有限元方法硅cz炉质量传递

摘要：使用有限元方法对炉内的质量传递过程进行了全局数值模拟，研究了硅单晶Czochralski(Cz)法生长时氧传输的基本特性．结果表明：在小型硅Cz炉中，晶体中的氧浓度主要取决于熔体的流型和气相传质速率；安装在热区的气体导板可有效强化气相传质系数并改变熔体的流型，Marangoni效应可将自由界面处低氧浓度的熔体带至结晶界面，使晶体中氧浓度降低．

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社