作者：李天赐; 李靖巍; 戴梦嘉; 许俊; 刘家琴; ...晶化温度tio2纳米管阵列氢化微观结构储锂性能
摘要：采用阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列薄膜（TNTAs）,在不同热处理温度下对其进行晶化处理,然后采用电化学氢化法对TNTAs实施氢化改性,获得导电性显著提高的H-TNTAs。利用场发射扫描电镜、X射线衍射、X射线光电子能谱、显微共焦激光拉曼光谱研究了晶化温度对TNTAs和H-TNTAs微观结构的影响,利用电池测试系统,探究晶化温度对TNTAs和H-TNTAs作为锂电负极的电化学性能影响。结果表明：当晶化温度从400℃升高至700℃时,非晶TiO2逐渐晶化为锐钛矿相,在600℃时发生锐钛矿向晶红石相转变,700℃时管状结构发生破坏;随着晶化温度的升高,TNTAs电极的比容量不断降低;氢化改性后HTNTAs的比容量和倍率特性均有提升,但是不同晶化温度的H-TNTAs比容量和倍率特性提升幅度不一,主要是由于氢化时引入的Ti^3＋在不同晶体结构TiO2中浓度和稳定性不同,其中晶化温度为500℃时,单一锐钛矿相、结晶良好的H-TNTAs-500的电化学性能最优,比容量和倍率特性提升最为显著。
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