作者：李红霞; 田保红; 宋克兴; 刘平弥散强化内氧化逆扩散
摘要：以Cu2O为氧化剂,在氩气保护下用内氧化技术对不同低Al含量的Cu-Al合金表面进行了弥散强化处理(内氧化温度为1123～1273K,保温时间10～96h),研究了硬化层的组织形貌及性能.用Wagner高温氧化理论分析了铝含量、工艺参数与内氧化层深及内氧化速度之间的定量关系.结果表明:试样表面通过内氧化后,固溶在Cu基体内部的Al以Al2O3形态从基体析出,基体纯化,导电率提高.同时铜基体中弥散分布的纳米级的Al2O3颗粒强化了铜基体,使硬度及磨损抗力提高.Al含量的多少直接影响内氧化层的厚度、组织形貌及硬度和导电率,Cu-Al合金的内氧化动力学曲线呈抛物线变化规律.
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