作者：高双; 曾飞; 宋成; 潘峰型阻惰性电极图片说明离子迁移存储介质存储材料存储单元信息存储低阻膜结构
摘要：封面图片出自论文＂阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展＂.是清华大学材料学院潘峰教授研究团队提供的阳离子迁移型阻变存储器的器件结构及选材和阻变特性及机理示意图.阳离子迁移型阻变存储器的存储单元为＂活性电极/存储介质/惰性电极＂三层膜结构,通过外加电压作用下活性电极原子发生氧化还原反应和定向迁移过程而实现信息存储,其中逻辑＂1＂对应于低阻态，此时金属导电细丝在存储介质中形成并连通上下电极；逻辑“0”对应于高阻态，此时金属导电细丝在局部断开．它具有选材丰富、结构简单、易于集成、擦写速度快、擦写功耗低、循环耐受性好、数据保持特性稳定等优点，是当前硅基闪存的有力替代者，受到了科学界和工业界的广泛关注．
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
