作者：肖和平; 朱迪薄膜沉积速率金属薄膜晶粒尺寸残余应力正向电压
摘要：研究了在Si基片上沉积Cr薄膜的沉积速率对薄膜残余应力、晶粒尺寸的影响,并进一步讨论薄膜电阻率与残余应力、晶粒尺寸的关系,该电阻率主要由电子在薄膜晶粒内运动及穿越薄膜晶界运动受到阻力而形成。结果表明:薄膜电阻率随残余应力、晶粒尺寸的增加而变小。基于这一实验结果可以改善AlGaInP的LED正向工作电压。
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《材料科学与工程学报》（CN：33-1307/T）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《材料科学与工程学报》介绍材料科学基础理论、实验检测技术、材料制备与加工等研究论文，综述具有重大意义的新材料研究与发展。
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