作者：刚骏涛; 冯旺军; 李靖; 刘力源二氧化硅包覆羰基铁粉复介电常数复磁导率反射吸收率
摘要：以3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）为硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉（CIP）表面包覆二氧化硅（SiO2）获得SiO2@CIP核壳结构复合吸波剂,采用多种技术手段表征了复合吸波剂的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显示：APTES为硅源的包覆技术可制备SiO2@CIP复合吸波剂,SiO2包覆层的厚度约为10nm;用Agilent/HP-8720ET矢量网络分析仪对样品进行吸波性能分析,当吸波剂的涂覆层厚度为d=1.9mm时,在6.4GHz至11.4GHz波段范围的反射吸收率小于-10dB,最低反射吸收率达到-58.6dB。
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