作者：赵笑昆; 李博研; 张增光al掺杂zno射频磁控溅射压强晶粒生长
摘要：Al掺杂ZnO(AZO)薄膜由于电导率高、光学透过率高、原料储量丰富、成本低廉而成为最具潜力的透明导电薄膜。本实验采用射频磁控溅射法沉积制备了30cm×30cm的AZO薄膜,研究了溅射压强对晶体结构、微观结构、电学和光学性能的影响,实现微观结构和性能的调节。结果表明,溅射压强增大,薄膜沉积速率降低,晶体c轴择优取向生长变弱,晶粒尺寸变大且存在长度大于100nm的棒状晶粒。0.933Pa时薄膜电阻率降至最低(1.01×10^-3Ω·cm),可见光透过率为79.7%,禁带宽度Eg=3.82eV,有利于透明导电膜的应用。
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