作者：路小彬嵌段共聚物自组装湿式腐蚀sihx纳米坑聚合物刷点阵
摘要：嵌段共聚物纳米刻蚀技术因具有易大批量生产的优点,在集成电路硅片、生物芯片等技术领域引起了广泛的关注。本研究进一步改进了该技术,通过旋涂得到嵌段共聚物自组装模板,然后通过湿式腐蚀在硅表面上形成相应的点阵状SiHx纳米坑,进而生成聚合物刷的纳米点阵结构。用原子力显微镜对每一步的形貌进行了拍摄,用多次透射-反射红外光谱对每一步的表面分子结构进行了表征。此外,根据所观察到的树突状结构,提出了聚合物刷树突状生长和扩散受限聚集的生长机理。
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