作者：何晓崐 左然 徐楠 于海群原子层外延gaas表面化学反应
摘要：介绍了用于外延生长Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜的原子层外延（ALE）的国内外进展。以GaAs为例，讨论了ALE生长Ⅲ-Ⅴ族化合物的表面反应机理。GaAs的ALE表面反应机理主要有两种：一种是吸附质阻挡机理，即Ga-（CH3）3在表面发生热解，最终Ga（CH3），（x=1或2）在表面吸附，依靠Ga（CH3）3中CH3的空间位阻效应，表面反应自动停止；另一种是选择性吸附机理，即Ga（CH3）3在表面热解后形成的吸附物质是Ga原子，当表面完全覆盖一层Ga原子，即表面Ga原子饱和，表面反应自动停止。还介绍了ALE生长中的气相反应以及H原子对ALE生长过程的影响。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
