作者：周继承; 郑旭强; 刘福sic材料sic器件研究现状关键技术发展趋势
摘要：SiC单晶因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料。综述了SiC材料及器件的研究现状、关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距。
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《材料导报》（CN：50-1078/TB）是一本有较高学术价值的大型半月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《材料导报》的读者群为从事材料规划、决策的各级领导和管理人员，从事材料研究开发的科研工作者，有关大专院校师生，从事材料生产、应用的工矿企业人员，以及公司领导人员、高新技术开发区领导人员等。
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