作者：吕凤军; 斯永敏导电特性镀膜工艺vo2薄膜射频磁控溅射方法热处理温度导电性能x射线衍射真空热处理影响规律工艺因素设计研究正交试验试验结果工作压强溅射功率晶体结构优化工艺工作气压溅射频率制备衬底
摘要：利用射频磁控溅射方法制备了VO2薄膜，通过正交试验设计研究镀膜工艺因素对薄膜导电特性的影响规律。试验结果表明，影响薄膜导电性能的主要因素是热处理温度，其次是衬底的温度，溅射功率和工作压强对薄膜导电性能的影响很小。X射线衍射结果表明，制备的VO2薄膜为非晶体结构，480℃真空热处理后，VO2薄膜结晶良好。由此得到制备VO2薄膜的最优化工艺为：衬底的温度400℃、热处理温度480℃、溅射频率120W和工作气压1．5Pa．
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