美国英特尔公司高感度inp性能光传感器硅基开发光电二极管
摘要：美国英特尔公司于当地时间2008年12月7日宣布，成功开发了一种高速响应的硅基高感度光电二极管（APD：avalanche photo diode）。性能超过了原来的InP等化合物类的APD。由于同时实现了高性能和低成本，因此除长距离光缆的受光元件外，还可用于量子加密通信、高性能图像传感器和生物芯片等。
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