作者：钱祥忠光电子学温度特性传输矩阵一维光子晶体液晶微谐振腔
摘要：在光子晶体中引入液晶缺陷，形成一维光子晶体液晶微谐振腔。用传输矩阵法研究了这种微谐振腔的温度特性，用E1液晶微谐振腔进行了模拟数值计算。计算结果表明，液晶微谐振腔的特性与温度和液晶分子排列密切相关 对于液晶排列沿平行介质表面的微谐振腔，当温度升高时缺陷峰波长向长波长方向漂移，半高宽度增大, 品质因子减小 而液晶排列沿介质表面法向的微谐振腔的温度变化情况则相反 温度灵敏度和透射峰高度均随温度升高而增大。温度特性为非线性关系，并随温度接近液晶相变点而变化迅速，与现有的各向同性材料微谐振腔的温度特性不同。
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