作者：李丽; 张志国; 赵正平; 郭文胜rfmems可变电容q值压控振荡器单边带相位噪声
摘要：利用RF MEMS可变电容作为频率调节元件，制备了中心频率为2GHz的MEMS VCO器件．RF MEMS可变电容采用凹型结构，其控制极板与电容极板分离，并采用表面微机械工艺制造，在2GHz时的Q值最高约为38．462．MEMS VCO的测试结果表明，偏离2．007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107dBc／Hz，此相位噪声性能优于他们与90年代末国外同频率器件．并与采用GaAs超突变结变容二极管的VCO器件进行了比较，说明由于集成了RF MEMS可变电容，使得在RF MEMS可变电容的机械谐振频率近端时，MEMS VCO的相位噪声特性发生了改变．
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