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新型InSb—In薄膜磁阻式振动传感器

作者:郑鑫; 黄钊洪共晶体薄膜磁阻效应振动传感器

摘要:研制的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器.与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比,这种传感器的灵敏度更高,频率响应宽.经实测,其提供的电信号的信噪比大于60 dB.这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等.

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测控技术

《测控技术》(月刊)创刊于1982年,由中国航空工业集团有限公司主管,中国航空工业集团北京长城航空测控技术研究所主办,CN刊号为:11-1764/TB,自创刊以来,颇受业界和广大读者的关注和好评。 《测控技术》以其刊出论文的技术先进、方法新颖、实用性强为特色,重点介绍各种类型传感器、智能化仪器仪表、现场总线技术、计算机数据采集与处理、集散式控制系统、分布式控制系统、模块化技术、各种网络技术、楼宇自动化技术、多媒体在工业自动化领域的应用、人工智能技术、模糊控制技术、通信技术、仿真与虚拟现实、机电一体化以及工控组...

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