作者：李俊寿; 尹玉军; 尹晓春sno2纳米材料制备技术纳米纤维热爆形变合成半导体传感器
摘要：综述了 SnO2纳米材料制备技术的研究进展,报道了一种制备纳米纤维的新方法--热爆形变合成法,讨论了用该方法制备纳米纤维的基本条件.采用该方法制备出了 SnO2纳米纤维,并进行了 SEM和 XRD分析.结果表明, SnO2纤维的直径约 20～ 100nm,其 X-射线衍射谱与标准的 SnO2衍射谱完全一致.与其它方法相比,热爆形变合成法具有设备简单、操作方便、生产率高、产物无团聚等优点 , 稍加研磨就可获得长度不同的短纤维.但是,反应过程难以控制,这是热爆形变合成法的主要缺点.
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