作者：路家斌; 熊强; 阎秋生; 王鑫; 廖博涛紫外光催化单晶sic氧化还原电位化学反应速率抛光效果
摘要：目的为了探究紫外光催化辅助抛光过程中,化学反应速率对SiC化学机械抛光的影响规律。方法通过无光照、光照抛光盘和光照抛光液3种光照方式,研究紫外光催化辅助作用对单晶SiC抛光过程中材料去除率的影响。测量不同条件下光催化反应过程中的氧化还原电位(ORP)值,来表征光催化反应速率,并进行了单晶SiC的紫外光催化辅助抛光实验,考察光催化反应速率对抛光效果的影响规律。结果实验表明,引入紫外光催化辅助作用后,材料去除率提高14%~20%,随着材料去除率的增加,光催化辅助作用对材料去除率的影响程度变小。光照射抛光液方式的材料去除率明显高于光照射抛光盘。不同条件下的抛光结果显示,化学反应速率越快,溶液的ORP值越高,材料去除率越大,表面粗糙度越低。在光照抛光液、H2O2体积分数4.5%、TiO2质量浓度4 g/L、光照强度1500 mW/cm^2、pH=11的条件下,用W0.2的金刚石磨料对SiC抛光120 min后,能够获得表面粗糙度Ra=0.269 nm的光滑表面。结论在单晶SiC的紫外光催化辅助抛光过程中,光催化反应速率越快,溶液ORP值越高,抛光效率越高,表面质量越好。在H2O2浓度、TiO2浓度、光照强度、pH等4个因素中,对抛光效果影响最大的是H2O2浓度,光照强度主要影响光催化反应达到稳定的时间。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
