作者：黄珂; 刘文军; 谭科; 罗书径射频辅助磁控溅射梯度薄膜射频功率结合性能过渡层
摘要：目的改善CrC薄膜的制备工艺,提高薄膜的结合强度。方法采用射频偏压辅助磁控溅射技术,以Cr和石墨为靶材,C2H2为反应气体,在M42高速钢表面制备梯度Cr/CrC膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、Raman光谱仪分析薄膜的微观形貌、成分组成、键结构,用纳米压痕仪、洛氏硬度计对薄膜的结合性能进行评价。结果成功制备了表面致密均匀的梯度Cr/CrC薄膜,薄膜中sp^3键含量随石墨靶射频功率的增加而呈现先增大后减小的趋势。薄膜的结合强度随射频功率的增大而先增大后减小,射频功率为250W时,薄膜中含有最多的sp^3键,并且有最高的硬度,硬度值为21GPa。结论纯Cr过渡层能有效吸收薄膜中的内应力,改善膜/基结合性能,对Cr/CrC薄膜结合强度有明显增强作用。石墨靶的射频功率大小对梯度Cr/CrC膜的结构和结合强度有显著影响,射频功率为250W时,制备出的薄膜具有最高的硬度和结合强度。
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