作者：何双赐; 钟志成; 魏彦锋; 汪竞阳azo薄膜共溅射溅射功率光电性能
摘要：目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO（AZO）薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、光电子能谱仪（XPS）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见分光光度计（UV-Vis）、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析。结果所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90%,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移。当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10^-3Ω·cm,品质因子为370.2 S/cm。结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
