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半导体元件用导电性薄膜、半导体元件及它们的制造方法

半导体元件导电性薄膜制造方法粘结强度栅电极绝缘膜原子agmo保护膜绝缘层si衬底驱动基材

摘要:一种半导体元件,在衬底上,沉积了包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的栅电极、栅绝缘膜、α—Si:H(i)膜、沟道保护膜、α—Si:H(n)膜、包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜构成的源·漏电极、源·漏绝缘膜以及驱动电极。使用包含Mo原子和Ag原子的导电性薄膜,形成栅电极和源·漏电极并制造半导体元件。由此,可以提供与基材和绝缘层等的粘结强度大的半导体元件用导电性薄膜、

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表面技术

《表面技术》(CN:50-1083/TG)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《表面技术》办刊宗旨:为从事工业材料和机械产品表面处理技术的科技工作者提供学术和技术交流、沟通信息,为我国经济建设服务。

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