作者：乔瑾 张伟 岳萍 朴林华 张福学横向腐蚀微机械陀螺刻蚀速率离子刻蚀
摘要：利用等离子体刻蚀理论和实验相结合的方法，实现了离子刻蚀无驱动结构硅微机械陀螺芯片技术。实验表明：离子刻蚀55μm硅的均匀性U=0．63％，选择比P=90：1，刻蚀速率y=7．25μm／min，侧壁垂直度为90°±1°。应用该技术刻蚀出的芯片表面平整、光滑，解决了湿法刻蚀难以解决的横向腐蚀问题，并提高了刻蚀速率。
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