氧氩比和退火温度对AZO薄膜结构与性能的影响

作者：于舸; 赵曼; 吕爱君azo薄膜射频磁控溅射退火温度氧氩比透过率

摘要：在通氩气和不同比率氧氩混合气体的条件下,利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备铝（Al）掺杂氧化锌（AZO）薄膜（溅射功率为180W,衬底温度为300℃）,并对部分薄膜样品进行400℃或500℃退火处理。采用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计对薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行测试研究。结果表明,制备的所有薄膜均呈现（002）晶面择优生长;与氩气溅射相比,当采用氧氩混合气体溅射时,生长的AZO薄膜晶粒尺寸显著增大;退火处理使2类薄膜的表面粗糙度都明显减小,晶粒也有所增大（7%-13%）。其中,在氧氩比为1∶2的混合气体中制备的薄膜,经过500℃退火后,晶粒尺寸最大（39.4nm）,薄膜表面更平整致密,在可见光区平均透过率接近最大（89.3%）。

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