团簇V3BP电子自旋密度的研究

作者：崔远东; 方志刚; 赵振宁; 刘琪; 韩建铭团簇v3bp稳定性密度泛函理论自旋密度分布

摘要：基于密度泛函理论,对B3LYP/Lanl2dz赝势基组水平的V3BP的11种优化构型通过分析其电子自旋密度分布进行稳定性的研究。结果表明：团簇V3BP最稳定构型1（4）外围电子自旋密度分布均匀,对称性好;内部原子间成键强弱均匀,对称性好;最不稳定构型8（2）外围α电子和β电子交替分布且分布不均匀,对称性差且极不规整;内部原子间成键强度各不相同,同一类型键原子间成键强弱也不均匀;团簇V3BP各优化构型的外围电子分布由α电子和β电子共同组成,且α电子所占比例较大;构型2^（（4））、1^（（2））、4^（（2））、8^（（2））内部原子间成键后均为β电子过剩,其余构型内部原子间成键后均为α电子过剩。

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