作者：刘建军; 张红双量子阱浅施主杂质束缚能
摘要：为了研究双量子阱的垒宽、阱宽以及杂质位置对浅施主杂质束缚能的影响。在有效质量近似下．采用变分方法计算厂对称GaAs／AlxGa1-xAs双量子阱中浅施主杂质的束缚能，本文结果与已有结果吻合较好．体系束缚能随垒宽的增加越来越接近单阱的情况，并且在阱宽较窄时体系束缚能有一最小值.
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《北京工业大学学报》（CN：11-2286/T）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
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