作者：张新; 高勇; 刘善喜; 安涛; 徐春叶互补型金属氧化物半导体绝缘硅soi栅氧化动态功耗电路静态功耗延迟cmos集成技术
摘要：在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体(SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上,采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构,并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOI CMOS激光测距集成电路.测试结果表明: 1.2 μm器件101级环振单门延迟为252 ps,总延迟为54.2 ns.电路静态功耗约为3 mW,动态功耗为15 mW.
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