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UnitedSiC首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET具有更高效率和更低损耗

电池充电器固态断路器碳化硅rdsfetsic逆变器

摘要:美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mQ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中,一款产品额定电压值为650V,RDS(on)为7 md,另外三款电压额定值为1200V,RDS(on)分别为9和16 mQ。所有器件都采用通用型TO247封装。

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半导体信息

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