智能移动终端集成电路制造天然辐射半导体材料通信设备数据中心通讯基站射频器件
摘要：11月7日,氮化傢(GaN)射频及功率器件产业化项目正式签约落户嘉兴科技城。该项目将新建大型规模化的GaN射频器件与功率器件生产基地,总投资25亿元,占地110亩。项目全部达产后可实现年销售30亿元以上,年税收7000万元以上。GaN属于第三代高大禁带宽度的半导体材料,和第一代的Si以及第二代的GaAs等相比,具有高工作频率、电子迁移速率、抗天然辐射及耗电量小等特性,能够广泛运用于5G通讯基站、智能移动终端、物联网、军工航天、数据中心、通信设备、智能电网及太阳能逆变器等领域。
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