Vishay推出新款共漏极双N沟道60V MOSFE

漏极n沟道直插式电池管理系统无线充电器功率密度

摘要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用小型热增强型Power-PAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60V MOSFET—SiSF20DNo Vishay SiliconixSiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。

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