Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)

工作温度范围mosfet器件氮化镓低导通电阻功率器件场效应管开关切换栅极电压

摘要：分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/—20V,工作温度范围为一55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60mQ)以及快速的开关切换;效率非常高。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社