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车用SiC市场成长迅猛SiC-SBD将率先导入充电桩场景

充电桩市场成长碳化硅功率器件sbd

摘要:作为第三代半导体材料的杰出代表,碳化硅因具备禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高等优势特性,非常适用于高温、高频以及高功率密度的应用场景。典型的比如新能源汽车领域,特斯拉最新的Model 3车型就使用了碳化硅MOSFET来提升电驱系统的工作效率以及汽车充电效率.

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半导体信息

《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。

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