sicganmosfet功率器件第三代半导体材料
摘要:汽车日渐走向智能化、联网化与电动化的趋势,加上5G商用在即,这些将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《半导体信息》是一本有较高学术价值的双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。
省级期刊
人气 653280 评论 60
部级期刊
人气 444060 评论 71
人气 222032 评论 68
人气 174856 评论 68