香港高校和台湾公司合作将电容器集成到硅上P型氮化镓栅极晶体管中显著提高器件性能

功率晶体管香港科技大学集成电容氮化镓硅衬底器件性能栅极台湾地区

摘要：香港科技大学（HKUST）和台湾半导体制造公司联合实现硅衬底上p型氮化镓（p—GaN）栅极高频功率晶体管上集成电容。P栅极GaN晶体管具有增强模式，其中晶体管处于电流关断状态，栅极电位为零。这样可以降低功耗。该研究成果已发表于IEEE电子器件快报。

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